產品
保利協鑫是全球規模、技術領先的多晶硅生產企業之一，也是全球硅片產能較大的企業，硅片年產能15吉瓦，2014年全球市占率30%。與此同時，通過技術研發和工藝革新，保利協鑫不斷推出廣受市場歡迎的“鑫單晶G系列”、高效多晶S系列（“鑫多晶S2”、“鑫多晶S3”、“鑫多晶S3+”及“鑫多晶S4”），促使光電轉換效率每6個月提升0.3-0.4個百分點，引領著國內硅片產品高效化市場的發展方向，推動電池、組件產品效率不斷攀升，滿足市場高效需求。
硅料
硅片
GCL改良西門子法多晶硅
公司通過引進國際高端裝置和技術，深化組合、集成再造，打造出了具有自主知識產權的GCL法工藝，實現了具有中國特色的多晶硅生產“綠色”制造。同時依靠自主研發并獲得國家專利的氯氫化裝置，可以將多晶硅生產過程中產生的副產物－四氯化硅全部轉化為多晶硅生產中的原料－三氯氫硅，實現物料循環利用及“零排放”，并大幅度降低生產成本，實現了多晶硅低成本、低能耗，高質量且環保的行業領跑水平。目前高純電子級產品比例持續上升，公司在能耗、生產成本及產品質量方面已達到行業領先水平。
硅烷流化床法顆粒硅
流化床：
中能硅業通過自主研發和中試裝置成功開發了硅烷流化床法，生產的顆粒硅產品達到電子多晶硅標準，為下游提供高品質、低成本的原料，填補了國內硅烷法制備多晶硅技術的空白，將有力推動高效太陽能電池產業的發展。
硅烷氣：
硅烷氣制備工藝專注于物料閉路循環，以最低能耗、最高產率獲得高純硅烷氣，不僅為硅烷流化床提供高品質原料保證，也可以單獨作為產品出售。
鑫多晶-S2硅片
鑫多晶-S2系列硅片是GCL通過對晶體生產理論的深刻理解，設計先進而獨創的熱場，開發精細的工藝，采用自產的優質硅料，在嚴格的質量控制下生產制造出來的高效硅片，將助力電池、組件客戶打造更具競爭力、更有價值的產品。
- 獨特的晶體結構
- 低氧、碳濃度
- 低金屬雜質濃度
- 低位錯、層錯、晶界等缺陷密度
- 均勻的雜質分布
鑫多晶-S3硅片
鑫多晶S3基于S2平臺全面提升。熱場、工藝、材料的持續進步，賦予了鑫多晶S3更高的性能表現。
- 效率較S2提高0.2%-0.3%
- 效率分布集中度進一步提升
- 對電池工藝及輔材無特殊要求
鑫多晶-S4硅片
“鑫多晶 S4”是保利協鑫最新一代鑫多晶產品，具備如下三方面顯著的技術特點：一是 GCL 新高效工藝高純坩堝的使用，有效解決了多晶硅片邊緣的黑邊問題，大幅降低邊緣黑邊比例,提高轉換率；二是長晶技術新平臺進一步提高了轉換效率，通過對硅片尺寸的優化設計，有效地提高了后端組件的輸出功率；三是投入量產全新的共摻雜技術，徹底解決了多晶電池片的光衰問題，為后續的 PERC 等高效工藝提供更寬廣的空間。
- 共摻雜技術——組件光衰平均低1%
- 黑邊缺陷改善——組件可靠性大幅提高
- 硅片尺寸更大——更高的組件功率輸出
鑫單晶-G2硅片
“鑫單晶 G2”定位于高效硅片市場的主流應用，將為高端客戶提供最具市場競爭力的單晶產品。相較于以傳統直拉法制得的單晶產品，“鑫單晶G2”在電池制備過程中有0.5%的額外效率增益，光衰平均低1%，同時具有轉換效率相近、面積大、封裝損失低等特點，是單晶鑄錠技術取得的最新產品突破。
- 高于G1基線1%絕對的效率提升，平均轉化效率接近直拉單晶
- 業界領先的裝料工藝和鑄錠工藝
- 投料量大，操作簡單，低成本
- 單一晶向，低缺陷
- 提供280/335W（60/72 pcs）以上組件最佳技術解決方案
N型單晶系列硅片
保利協鑫最新N型直拉單晶硅片系列產品，通過計算機模擬優化熱場設計，結合工藝優化和原料、輔材質量提升，有效降低氧含量，嚴格控制缺陷，提高少子壽命，適用更高效電池技術需求。同時提供多種規格尺寸和切割方式供客戶選擇，提高組件輸出功率。
- 行業領先的單晶生產技術，結合熱場模擬、優化和一流的切片技術
- 自產多晶硅原料、品質穩定
- 高少子壽命
- 低碳、氧濃度
P型單晶硅片
擁有國內領先的單晶生長技術、單晶爐熱屏技術和一流的切片技術，采用自產優質多晶硅料，導入精益生產，嚴格推行生產現場6S、EHS管理，可向客戶提供優質高效6-8英寸單晶硅片。
- 完整的單晶結構
- 高少子壽命
- 均勻的摻雜分布
- 低碳、氧濃度
